IXTN40P50P
Modul; einzelner Transistor; -500V; -40A; SOT227B; schraubbar
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
IXTN40P50P
Symbol TME:
IXTN40P50P
Technische Daten
Hersteller | IXYS | |
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | |
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | |
Drain-Source Spannung | -500V | |
Drainstrom | -40A | |
Gehäuse | SOT227B | |
Elektrische Montage | schraubbar | |
Polarisierung | unipolar | |
Widerstand im Leitungszustand | 0,23Ω | |
Drainstrom im Impuls | -120A | |
Verlustleistung | 890W | |
Technologie | PolarP™ | |
Kanal-Art | anreicherungs | |
Gate-Ladung | 205nC | |
Bereitschaftszeit | 477ns | |
Gate-Source Spannung | ±30V | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht36.87 g
Zertifikate
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* IXTN40P50PAnzahl Stück (Vielfache: 1)
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Verpackungsmethode durch den HerstellerRohr = 10 st