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Hersteller	IXYS
Typ des Halbleitermoduls	Bipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiters	einzelner Transistor
Drain-Source Spannung	500V
Drainstrom	46A
Gehäuse	SOT227B
Elektrische Montage	schraubbar
Polarisierung	unipolar
Widerstand im Leitungszustand	0,16Ω
Drainstrom im Impuls	100A
Verlustleistung	700W
Kanal-Art	anreicherungs
Gate-Ladung	260nC
Bereitschaftszeit	0,6µs
Gate-Source Spannung	±40V
Mechanische Montage	schraubbar

IXTN46N50L

Modul; einzelner Transistor; 500V; 46A; SOT227B; schraubbar; 700W

Technische Daten