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IXTN5N250

Modul; 5A; SOT227B; 700W; 1,2us; schraubbar

Hersteller: IXYS

Kennzeichnung des Herstellers:
IXTN5N250
Symbol TME:
IXTN5N250

Technische Daten

Hersteller
IXYS
Typ des Halbleitermoduls
Bipolartransistor, MOSFET
Drainstrom
5A
Gehäuse
SOT227B
Verlustleistung
700W
Bereitschaftszeit
1,2µs
Mechanische Montage
schraubbar
Bruttogewicht1 g
Zertifikate
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IXTN5N250
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