IXTN600N04T2
Modul; einzelner Transistor; 40V; 600A; SOT227B; schraubbar; 940W
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
IXTN600N04T2
Symbol TME:
IXTN600N04T2
Technische Daten
Hersteller | IXYS | |
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | |
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | |
Drain-Source Spannung | 40V | |
Drainstrom | 600A | |
Gehäuse | SOT227B | |
Elektrische Montage | schraubbar | |
Polarisierung | unipolar | |
Widerstand im Leitungszustand | 1,3mΩ | |
Drainstrom im Impuls | 1,8kA | |
Verlustleistung | 940W | |
Technologie | GigaMOS™, TrenchT2™ | |
Kanal-Art | anreicherungs | |
Gate-Ladung | 590nC | |
Bereitschaftszeit | 100ns | |
Gate-Source Spannung | ±30V | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht30 g
Zertifikate
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