+1 500 000 Produkte im Angebot

6000 Pakete jeden Tag

+300 000 Kunden aus 150 Ländern

Rufen Sie an: +49 341 2120340

Daten werden verarbeitet

Ihr Kreditlimit wurde überschritten. Die Bestellung wird angenommen, jedoch nicht realisiert. Der Lieferzeitplan für die bestellten Artikel wird ebenfalls nicht festgelegt. Setzen Sie sich bitte mit einem TME-Mitarbeiter in Verbindung.

Die Operation wurde erfolgreich durchgeführt.

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuche noch einmal.

Hersteller	IXYS
Typ des Halbleitermoduls	Bipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiters	einzelner Transistor
Drain-Source Spannung	40V
Drainstrom	600A
Gehäuse	SOT227B
Elektrische Montage	schraubbar
Polarisierung	unipolar
Widerstand im Leitungszustand	1,3mΩ
Drainstrom im Impuls	1,8kA
Verlustleistung	940W
Technologie	GigaMOS™, TrenchT2™
Kanal-Art	anreicherungs
Gate-Ladung	590nC
Bereitschaftszeit	100ns
Gate-Source Spannung	±30V
Mechanische Montage	schraubbar

IXTN600N04T2

Modul; einzelner Transistor; 40V; 600A; SOT227B; schraubbar; 940W

Technische Daten