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Hersteller	IXYS
Typ des Halbleitermoduls	Bipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiters	einzelner Transistor
Drain-Source Spannung	500V
Drainstrom	53A
Gehäuse	SOT227B
Elektrische Montage	schraubbar
Polarisierung	unipolar
Widerstand im Leitungszustand	0,1Ω
Drainstrom im Impuls	150A
Verlustleistung	735W
Technologie	Linear L2™
Kanal-Art	anreicherungs
Gate-Ladung	610nC
Bereitschaftszeit	980ns
Gate-Source Spannung	±40V
Mechanische Montage	schraubbar

IXTN60N50L2

Modul; einzelner Transistor; 500V; 53A; SOT227B; schraubbar; 735W

Technische Daten