+1 500 000 Produkte im Angebot

6000 Pakete jeden Tag

+300 000 Kunden aus 150 Ländern

Rufen Sie an: +49 341 2120340

Daten werden verarbeitet

Ihr Kreditlimit wurde überschritten. Die Bestellung wird angenommen, jedoch nicht realisiert. Der Lieferzeitplan für die bestellten Artikel wird ebenfalls nicht festgelegt. Setzen Sie sich bitte mit einem TME-Mitarbeiter in Verbindung.

Die Operation wurde erfolgreich durchgeführt.

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuche noch einmal.

Hersteller	IXYS
Typ des Halbleitermoduls	Bipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiters	einzelner Transistor
Drain-Source Spannung	500V
Drainstrom	62A
Gehäuse	SOT227B
Elektrische Montage	schraubbar
Polarisierung	unipolar
Widerstand im Leitungszustand	0,1Ω
Drainstrom im Impuls	150A
Verlustleistung	800W
Technologie	Linear™
Kanal-Art	anreicherungs
Gate-Ladung	550nC
Bereitschaftszeit	0,5µs
Gate-Source Spannung	±40V
Mechanische Montage	schraubbar

IXTN62N50L

Modul; einzelner Transistor; 500V; 62A; SOT227B; schraubbar; 800W

Technische Daten