IXTN90P20P
Modul; einzelner Transistor; -200V; -90A; SOT227B; schraubbar
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
IXTN90P20P
Symbol TME:
IXTN90P20P
Technische Daten
Hersteller | IXYS | |
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | |
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | |
Drain-Source Spannung | -200V | |
Drainstrom | -90A | |
Gehäuse | SOT227B | |
Elektrische Montage | schraubbar | |
Polarisierung | unipolar | |
Widerstand im Leitungszustand | 44mΩ | |
Drainstrom im Impuls | -270A | |
Verlustleistung | 890W | |
Technologie | PolarP™ | |
Kanal-Art | anreicherungs | |
Gate-Ladung | 205nC | |
Bereitschaftszeit | 315ns | |
Gate-Source Spannung | ±30V | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht30 g
Zertifikate
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Anzahl Stück (Vielfache: 300)
Nettopreis für Mengen von 300 st - 31.81 USDBruttopreis für Mengen von 300 st - 37.86 USD