IXYN100N65B3D1
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 650V; Ic: 100A; SOT227B
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
IXYN100N65B3D1
Symbol TME:
IXYN100N65B3D1
Technische Daten
Hersteller | IXYS | ||
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | ||
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | ||
Rückspannung max. | 650V | ||
Kollektor-Emitter-Strom | 100A | ||
Gehäuse | SOT227B | ||
Elektrische Montage | schraubbar | ||
Gate - Emitter Spannung | ±20V | ||
Kollektorstrom im Impuls | 490A | ||
Verlustleistung | 600W | ||
Technologie | GenX3™, XPT™ | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht30 g
Zertifikate
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* IXYN100N65B3D1Anzahl Stück (Vielfache: 1)
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Nettopreis für Mengen von 1 st - 37.40 USDBruttopreis für Mengen von 1 st - 44.50 USD
Nettopreis für Mengen von 3 st - 33.69 USDBruttopreis für Mengen von 3 st - 40.09 USD
Nettopreis für Mengen von 10 st - 29.76 USDBruttopreis für Mengen von 10 st - 35.41 USD