IXYN30N170CV1
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,7kV; Ic: 30A; SOT227B
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
IXYN30N170CV1
Symbol TME:
IXYN30N170CV1
Technische Daten
Hersteller | IXYS | |
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | |
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | |
Rückspannung max. | 1,7kV | |
Kollektor-Emitter-Strom | 30A | |
Gehäuse | SOT227B | |
Elektrische Montage | schraubbar | |
Gate - Emitter Spannung | ±20V | |
Kollektorstrom im Impuls | 275A | |
Verlustleistung | 680W | |
Technologie | XPT™ | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht30 g
Zertifikate
Andere Produkte von dieser Kategorie ansehen: IGBT-Module IXYS,
* IXYN30N170CV1
0 auf Lager bei TME
Anzahl Stück (Vielfache: 1)
Nettopreis für Mengen von 1 st - 51.66 USDBruttopreis für Mengen von 1 st - 61.47 USD
Nettopreis für Mengen von 5 st - 45.57 USDBruttopreis für Mengen von 5 st - 54.23 USD
Nettopreis für Mengen von 10 st - 42.78 USDBruttopreis für Mengen von 10 st - 50.91 USD