NEUHEIT
MCNA120UI2200P-PC
Modul: IGBT; Diode/Thyristor/IGBT; boost chopper; Urmax: 2,2kV
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
MCNA120UI2200P-PC
Symbol TME:
MCNA120UI2200P-PC
Technische Daten
Hersteller | IXYS | ||
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | ||
Struktur des Halbleiters | Diode/Thyristor/IGBT | ||
Topologie | 3-phasige Dioden-Thyristor-Brücke, boost chopper | ||
Rückspannung max. | 2,2kV | ||
Kollektor-Emitter-Strom | 80A | ||
Gehäuse | E2-Pack | ||
Anwendung | Wechselrichter | ||
Elektrische Montage | Press-in PCB | ||
Gate - Emitter Spannung | ±20V | ||
Kollektorstrom im Impuls | 150A | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht1 g
Zertifikate
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* MCNA120UI2200P-PCAnzahl Stück (Vielfache: 28)
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Nettopreis für Mengen von 28 st - 122.54 USDBruttopreis für Mengen von 28 st - 145.82 USD