+1 500 000 Produkte im Angebot

6000 Pakete jeden Tag

+300 000 Kunden aus 150 Ländern

Rufen Sie an: +49 341 2120340

Daten werden verarbeitet

Ihr Kreditlimit wurde überschritten. Die Bestellung wird angenommen, jedoch nicht realisiert. Der Lieferzeitplan für die bestellten Artikel wird ebenfalls nicht festgelegt. Setzen Sie sich bitte mit einem TME-Mitarbeiter in Verbindung.

Die Operation wurde erfolgreich durchgeführt.

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuche noch einmal.

Hersteller	IXYS
Typ des Halbleitermoduls	IGBT
Struktur des Halbleiters	Diode/Thyristor/IGBT
Topologie	3-phasige Dioden-Thyristor-Brücke, boost chopper, NTC Thermistor
Rückspannung max.	2,2kV
Kollektor-Emitter-Strom	80A
Gehäuse	E2-Pack
Anwendung	Wechselrichter
Elektrische Montage	Press-in PCB
Gate - Emitter Spannung	±20V
Kollektorstrom im Impuls	150A
Mechanische Montage	schraubbar

MCNA120UI2200TED

Modul: IGBT; Diode/Thyristor/IGBT; boost chopper; Urmax: 2,2kV

Technische Daten