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Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Hersteller | STARPOWER SEMICONDUCTOR | |
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | |
Struktur des Halbleiters | Transistor/Transistor | |
Drain-Source Spannung | 1,2kV | |
Drainstrom | 200A | |
Gehäuse | C2 62mm | |
Topologie | MOSFET Halbbrücke | |
Elektrische Montage | schraubbar, Steckverbinder FASTON | |
Widerstand im Leitungszustand | 10mΩ | |
Drainstrom im Impuls | 822A | |
Technologie | SiC | |
Gate-Source Spannung | ±20V | |
Mechanische Montage | schraubbar |