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Hersteller	STARPOWER SEMICONDUCTOR
Typ des Halbleitermoduls	Bipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiters	Transistor/Transistor
Drain-Source Spannung	1,2kV
Drainstrom	30A
Gehäuse	L2
Topologie	3-phasen Brücke MOSFET, NTC Thermistor
Elektrische Montage	Press-in PCB
Widerstand im Leitungszustand	60mΩ
Drainstrom im Impuls	154A
Verlustleistung	203W
Technologie	SiC
Gate-Source Spannung	-4...22V
Mechanische Montage	schraubbar

MD30FSR120L2SF

Modul; Transistor/Transistor; 1,2kV; 30A; L2; Press-in PCB; 203W

Technische Daten