MDMA210UB1600PTED
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 84A
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
MDMA210UB1600PTED
Symbol TME:
MDMA210UB1600PTED
Technische Daten
Hersteller | IXYS | |
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | |
Struktur des Halbleiters | Diode/Transistor | |
Topologie | 3-Phasendiodenbrücke, boost chopper, NTC Thermistor | |
Rückspannung max. | 1,2kV | |
Kollektor-Emitter-Strom | 84A | |
Gehäuse | E2-Pack | |
Elektrische Montage | Press-in PCB | |
Gate - Emitter Spannung | ±20V | |
Kollektorstrom im Impuls | 225A | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht100 g
Zertifikate
Andere Produkte von dieser Kategorie ansehen: IGBT-Module IXYS,
* MDMA210UB1600PTEDAnzahl Stück (Vielfache: 1)
0 auf Lager bei TME
Nettopreis für Mengen von 1 st - 146.52 USDBruttopreis für Mengen von 1 st - 174.35 USD
Nettopreis für Mengen von 3 st - 132.67 USDBruttopreis für Mengen von 3 st - 157.88 USD
Nettopreis für Mengen von 5 st - 117.68 USDBruttopreis für Mengen von 5 st - 140.03 USD