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Hersteller	IXYS
Typ des Halbleitermoduls	IGBT
Struktur des Halbleiters	Diode/Transistor
Topologie	3-Phasendiodenbrücke, boost chopper
Rückspannung max.	1,2kV
Kollektor-Emitter-Strom	140A
Gehäuse	E2-Pack
Elektrische Montage	Press-in PCB
Gate - Emitter Spannung	±20V
Kollektorstrom im Impuls	300A
Mechanische Montage	schraubbar

MDMA240UB1600ED

Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV

Technische Daten