MDNA280UB2200PTED
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,7kV
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
MDNA280UB2200PTED
Symbol TME:
MDNA280UB2200PTED
Technische Daten
Hersteller | IXYS | |
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | |
Struktur des Halbleiters | Diode/Transistor | |
Topologie | 3-Phasendiodenbrücke, boost chopper, NTC Thermistor | |
Rückspannung max. | 1,7kV | |
Kollektor-Emitter-Strom | 100A | |
Gehäuse | E2-Pack | |
Elektrische Montage | Press-in PCB | |
Gate - Emitter Spannung | ±20V | |
Kollektorstrom im Impuls | 200A | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht100 g
Zertifikate
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* MDNA280UB2200PTEDAnzahl Stück (Vielfache: 1)
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