MDNA360UB2200PTED
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,7kV
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
MDNA360UB2200PTED
Symbol TME:
MDNA360UB2200PTED
Technische Daten
Hersteller | IXYS | ||
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | ||
Struktur des Halbleiters | Diode/Transistor | ||
Topologie | 3-Phasendiodenbrücke, boost chopper, NTC Thermistor | ||
Rückspannung max. | 1,7kV | ||
Kollektor-Emitter-Strom | 135A | ||
Gehäuse | E2-Pack | ||
Elektrische Montage | Press-in PCB | ||
Gate - Emitter Spannung | ±20V | ||
Kollektorstrom im Impuls | 280A | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht100 g
Zertifikate
Andere Produkte von dieser Kategorie ansehen: IGBT-Module IXYS,
* MDNA360UB2200PTEDAnzahl Stück (Vielfache: 1)
0 auf Lager bei TME
Nettopreis für Mengen von 1 st - 162.87 EURBruttopreis für Mengen von 1 st - 193.81 EUR