MG12200D-BN2MM
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1,2kV
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
MG12200D-BN2MM
Symbol TME:
MG12200D-BN2MM
Technische Daten
Hersteller | IXYS | |
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | |
Struktur des Halbleiters | Transistor/Transistor | |
Topologie | IGBT Halbbrücke | |
Rückspannung max. | 1,2kV | |
Kollektor-Emitter-Strom | 200A | |
Gehäuse | Y3-DCB | |
Elektrische Montage | schraubbar, Steckverbinder FASTON | |
Gate - Emitter Spannung | ±20V | |
Kollektorstrom im Impuls | 400A | |
Technologie | Field Stop, Trench | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht100 g
Zertifikate
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Nettopreis für Mengen von 1 st - 198.75 USDBruttopreis für Mengen von 1 st - 236.51 USD
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