MID200-12A4
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Y3-DCB
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
MID200-12A4
Symbol TME:
MID200-12A4
Technische Daten
Hersteller | IXYS | ||
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | ||
Struktur des Halbleiters | Diode/Transistor | ||
Topologie | boost chopper | ||
Rückspannung max. | 1,2kV | ||
Kollektor-Emitter-Strom | 180A | ||
Gehäuse | Y3-DCB | ||
Anwendung | Motoren | ||
Elektrische Montage | schraubbar, Steckverbinder FASTON | ||
Gate - Emitter Spannung | ±20V | ||
Kollektorstrom im Impuls | 360A | ||
Verlustleistung | 1,13kW | ||
Technologie | NPT | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht10 g
Zertifikate
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* MID200-12A4Anzahl Stück (Vielfache: 1)
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