MIEB101W1200EH
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; 3-phasen Brücke IGBT; 630W
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
MIEB101W1200EH
Symbol TME:
MIEB101W1200EH
Technische Daten
Hersteller | IXYS | |
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | |
Struktur des Halbleiters | Transistor/Transistor | |
Topologie | 3-phasen Brücke IGBT | |
Rückspannung max. | 1,2kV | |
Kollektor-Emitter-Strom | 128A | |
Gehäuse | E3-Pack | |
Anwendung | Motoren, Photovoltaik | |
Elektrische Montage | Press-in PCB | |
Gate - Emitter Spannung | ±20V | |
Kollektorstrom im Impuls | 200A | |
Verlustleistung | 630W | |
Technologie | Sonic FRD™, SPT+ | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht10 g
Zertifikate
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* MIEB101W1200EHAnzahl Stück (Vielfache: 1)
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