MII75-12A3
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1,2kV
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
MII75-12A3
Symbol TME:
MII75-12A3
Technische Daten
Hersteller | IXYS | ||
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | ||
Struktur des Halbleiters | Transistor/Transistor | ||
Topologie | IGBT Halbbrücke | ||
Rückspannung max. | 1,2kV | ||
Kollektor-Emitter-Strom | 60A | ||
Gehäuse | Y4-M5 | ||
Anwendung | für Pumpen, Lüfter, Motoren, Photovoltaik | ||
Elektrische Montage | schraubbar, Steckverbinder FASTON | ||
Gate - Emitter Spannung | ±20V | ||
Kollektorstrom im Impuls | 100A | ||
Verlustleistung | 370W | ||
Technologie | NPT | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht10 g
Zertifikate
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* MII75-12A3Anzahl Stück (Vielfache: 1)
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