MIXA600PF650TSF
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 650V
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
MIXA600PF650TSF
Symbol TME:
MIXA600PF650TSF
Technische Daten
Hersteller | IXYS | ||
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | ||
Struktur des Halbleiters | Transistor/Transistor | ||
Topologie | IGBT Halbbrücke, NTC Thermistor | ||
Rückspannung max. | 650V | ||
Kollektor-Emitter-Strom | 490A | ||
Gehäuse | SimBus F | ||
Anwendung | für Pumpen, für UPS, Lüfter, Motoren | ||
Elektrische Montage | Press-in PCB | ||
Gate - Emitter Spannung | ±20V | ||
Kollektorstrom im Impuls | 1,2kA | ||
Verlustleistung | 1,75kW | ||
Technologie | Sonic FRD™, XPT™ | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht10 g
Zertifikate
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* MIXA600PF650TSFAnzahl Stück (Vielfache: 1)
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