MIXA61H1200ED
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; Brücke H; Urmax: 1,2kV; Ic: 60A
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
MIXA61H1200ED
Symbol TME:
MIXA61H1200ED
Technische Daten
Hersteller | IXYS | |
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | |
Struktur des Halbleiters | Transistor/Transistor | |
Topologie | Brücke H | |
Rückspannung max. | 1,2kV | |
Kollektor-Emitter-Strom | 60A | |
Gehäuse | E2-Pack | |
Anwendung | Motoren, Photovoltaik | |
Elektrische Montage | Press-in PCB | |
Gate - Emitter Spannung | ±20V | |
Kollektorstrom im Impuls | 150A | |
Verlustleistung | 290W | |
Technologie | Sonic FRD™, XPT™ | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht10 g
Zertifikate
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