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Hersteller	IXYS
Typ des Halbleitermoduls	IGBT
Struktur des Halbleiters	Transistor/Transistor
Topologie	Brücke H
Rückspannung max.	1,2kV
Kollektor-Emitter-Strom	45A
Gehäuse	E2-Pack
Anwendung	Motoren
Elektrische Montage	Press-in PCB
Gate - Emitter Spannung	±20V
Kollektorstrom im Impuls	100A
Verlustleistung	350W
Technologie	HiPerFRED™, NPT
Mechanische Montage	schraubbar

MKI50-12F7

Modul: IGBT; Transistor/Transistor; Brücke H; Urmax: 1,2kV; Ic: 45A

Technische Daten