MKI50-12F7
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; Brücke H; Urmax: 1,2kV; Ic: 45A
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
MKI50-12F7
Symbol TME:
MKI50-12F7
Technische Daten
Hersteller | IXYS | ||
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | ||
Struktur des Halbleiters | Transistor/Transistor | ||
Topologie | Brücke H | ||
Rückspannung max. | 1,2kV | ||
Kollektor-Emitter-Strom | 45A | ||
Gehäuse | E2-Pack | ||
Anwendung | Motoren | ||
Elektrische Montage | Press-in PCB | ||
Gate - Emitter Spannung | ±20V | ||
Kollektorstrom im Impuls | 100A | ||
Verlustleistung | 350W | ||
Technologie | HiPerFRED™, NPT | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht10 g
Zertifikate
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* MKI50-12F7Anzahl Stück (Vielfache: 1)
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