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Hersteller	MICROCHIP TECHNOLOGY
Typ des Halbleitermoduls	Bipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiters	SiC-Diode/Transistor
Drain-Source Spannung	1,2kV
Drainstrom	71A
Gehäuse	SP1F
Topologie	Halbbrücke MOSFET + Paralleldioden, NTC Thermistor
Elektrische Montage	Press-in PCB
Widerstand im Leitungszustand	31mΩ
Drainstrom im Impuls	180A
Verlustleistung	395W
Technologie	SiC
Mechanische Montage	schraubbar

MSCSM120AM31CT1AG

Modul; SiC-Diode/Transistor; 1,2kV; 71A; SP1F; Press-in PCB; 395W

Technische Daten

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ist Importeur von Produkten dieser Marke