MSCSM70VM10C4AG
Modul; SiC-Diode/Thyristor/Transistor; 700V; 189A; SP4; Idm: 476A
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Kennzeichnung des Herstellers:
MSCSM70VM10C4AG
Symbol TME:
MSCSM70VM10C4AG
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | |
Struktur des Halbleiters | SiC-Diode/Thyristor/Transistor | |
Drain-Source Spannung | 700V | |
Drainstrom | 189A | |
Gehäuse | SP4 | |
Topologie | Vienna Rectifier | |
Elektrische Montage | schraubbar, Steckverbinder FASTON | |
Widerstand im Leitungszustand | 9,5mΩ | |
Drainstrom im Impuls | 476A | |
Verlustleistung | 674W | |
Technologie | SiC | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht160 g
Zertifikate
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* MSCSM70VM10C4AGAnzahl Stück (Vielfache: 3)
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Nettopreis für Mengen von 3 st - 231.87 USDBruttopreis für Mengen von 3 st - 275.92 USD
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