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Hersteller	IXYS
Typ des Halbleitermoduls	IGBT
Struktur des Halbleiters	Diode/Transistor
Topologie	3-phasen Brücke IGBT, 3-Phasendiodenbrücke, buck chopper, NTC Thermistor
Rückspannung max.	0,6kV
Kollektor-Emitter-Strom	8A
Gehäuse	E1-Pack
Anwendung	Motoren
Elektrische Montage	Press-in PCB
Gate - Emitter Spannung	±20V
Kollektorstrom im Impuls	18A
Verlustleistung	50W
Technologie	NPT
Mechanische Montage	schraubbar

MUBW10-06A6K

Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 8A

Technische Daten