MWI200-06A8
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; 3-phasen Brücke IGBT; 675W
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
MWI200-06A8
Symbol TME:
MWI200-06A8
Technische Daten
Hersteller | IXYS | |
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | |
Struktur des Halbleiters | Transistor/Transistor | |
Topologie | 3-phasen Brücke IGBT | |
Rückspannung max. | 0,6kV | |
Kollektor-Emitter-Strom | 115A | |
Gehäuse | E3-Pack | |
Anwendung | Motoren | |
Elektrische Montage | Press-in PCB | |
Gate - Emitter Spannung | ±20V | |
Kollektorstrom im Impuls | 400A | |
Verlustleistung | 675W | |
Technologie | NPT | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht10 g
Zertifikate
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* MWI200-06A8Anzahl Stück (Vielfache: 1)
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