MWI200-06A8
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; 3-phasen Brücke IGBT; 675W
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
MWI200-06A8
Symbol TME:
MWI200-06A8
Technische Daten
Hersteller | IXYS | ||
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | ||
Struktur des Halbleiters | Transistor/Transistor | ||
Topologie | 3-phasen Brücke IGBT | ||
Rückspannung max. | 0,6kV | ||
Kollektor-Emitter-Strom | 115A | ||
Gehäuse | E3-Pack | ||
Anwendung | Motoren | ||
Elektrische Montage | Press-in PCB | ||
Gate - Emitter Spannung | ±20V | ||
Kollektorstrom im Impuls | 400A | ||
Verlustleistung | 675W | ||
Technologie | NPT | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht10 g
Zertifikate
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