MWI25-12A7T
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; 3-phasen Brücke IGBT; Ic: 35A
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
MWI25-12A7T
Symbol TME:
MWI25-12A7T
Technische Daten
Hersteller | IXYS | |
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | |
Struktur des Halbleiters | Transistor/Transistor | |
Topologie | 3-phasen Brücke IGBT, NTC Thermistor | |
Rückspannung max. | 1,2kV | |
Kollektor-Emitter-Strom | 35A | |
Gehäuse | E2-Pack | |
Anwendung | Motoren | |
Elektrische Montage | Press-in PCB | |
Gate - Emitter Spannung | ±20V | |
Kollektorstrom im Impuls | 70A | |
Verlustleistung | 225W | |
Technologie | NPT | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht10 g
Zertifikate
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* MWI25-12A7TAnzahl Stück (Vielfache: 1)
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