MWI50-12T7T
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; 3-phasen Brücke IGBT; Ic: 50A
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
MWI50-12T7T
Symbol TME:
MWI50-12T7T
Technische Daten
Hersteller | IXYS | |
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | |
Struktur des Halbleiters | Transistor/Transistor | |
Topologie | 3-phasen Brücke IGBT, NTC Thermistor | |
Rückspannung max. | 1,2kV | |
Kollektor-Emitter-Strom | 50A | |
Gehäuse | E2-Pack | |
Anwendung | Motoren, Photovoltaik | |
Elektrische Montage | Press-in PCB | |
Gate - Emitter Spannung | ±20V | |
Kollektorstrom im Impuls | 100A | |
Verlustleistung | 270W | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht10 g
Zertifikate
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* MWI50-12T7TAnzahl Stück (Vielfache: 1)
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