MWI75-06A7T
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; 3-phasen Brücke IGBT; Ic: 60A
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
MWI75-06A7T
Symbol TME:
MWI75-06A7T
Technische Daten
Hersteller | IXYS | ||
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | ||
Struktur des Halbleiters | Transistor/Transistor | ||
Topologie | 3-phasen Brücke IGBT, NTC Thermistor | ||
Rückspannung max. | 0,6kV | ||
Kollektor-Emitter-Strom | 60A | ||
Gehäuse | E2-Pack | ||
Anwendung | Motoren | ||
Elektrische Montage | Press-in PCB | ||
Gate - Emitter Spannung | ±20V | ||
Kollektorstrom im Impuls | 120A | ||
Verlustleistung | 280W | ||
Technologie | NPT | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht10 g
Zertifikate
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* MWI75-06A7TAnzahl Stück (Vielfache: 1)
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Nettopreis für Mengen von 1 st - 97.57 USDBruttopreis für Mengen von 1 st - 116.10 USD
Nettopreis für Mengen von 3 st - 86.22 USDBruttopreis für Mengen von 3 st - 102.60 USD
Nettopreis für Mengen von 6 st - 77.39 USDBruttopreis für Mengen von 6 st - 92.09 USD