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NSVIMD10AMT1G

Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,komplementäres Paar; 50V

Produktfamilie

Hersteller: ONSEMI

Kennzeichnung des Herstellers:
NSVIMD10AMT1G
Symbol TME:
NSVIMD10AMT1G

Technische Daten

Hersteller
ONSEMI
Transistor-Typ
NPN / PNP
Polarisierung
bipolar
Transistor-Art
BRT, komplementäres Paar
Kollektor-Emitter-Spannung
50V
Kollektor-Emitter-Strom
0,1A
Verlustleistung
285mW
Gehäuse
SC74R
Transistorverstärkung
68...600
Montage
SMD
Verpackungs-Art
Band, Rolle
Basis-Widerstand
13/0,13kΩ
Anwendung
Automobilbranche
Basis-Emitter-Widerstand
10kΩ
Standardverpackung des Herstellers
3000Stk.
Bruttogewicht0.01 g
Zertifikate
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NSVIMD10AMT1G
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