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Hersteller	NTE Electronics
Transistor-Typ	IGBT
Kollektor-Emitter-Spannung	1,2kV
Kollektor-Emitter-Strom	25A
Verlustleistung	200W
Gehäuse	TO3P
Gate - Emitter Spannung	±20V
Kollektorstrom im Impuls	50A
Montage	THT
Anschaltzeit	0,4µs
Ausschaltzeit	0,8µs

NTE3323

Transistor: IGBT; 1,2kV; 25A; 200W; TO3P

Technische Daten