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NVH640S75L4SPB

Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke x3; Ic: 640A

Hersteller: ONSEMI

Kennzeichnung des Herstellers:
NVH640S75L4SPB
Symbol TME:
NVH640S75L4SPB

Technische Daten

Hersteller
ONSEMI
Typ des Halbleitermoduls
IGBT
Struktur des Halbleiters
Transistor/Transistor
Topologie
IGBT Halbbrücke x3, NTC Thermistor
Rückspannung max.
750V
Kollektor-Emitter-Strom
640A
Gehäuse
SSDC33
Anwendung
Automobilbranche
Elektrische Montage
Press-in PCB, schraubbar
Gate - Emitter Spannung
±20V
Kollektorstrom im Impuls
1,28kA
Mechanische Montage
schraubbar
Bruttogewicht100 g
Zertifikate
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NVH640S75L4SPB
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Nettopreis für Mengen von 4 st - 624.19 USDBruttopreis für Mengen von 4 st - 742.79 USD
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