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Hersteller: ONSEMI
Hersteller | ONSEMI | |
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | |
Struktur des Halbleiters | Transistor/Transistor | |
Drain-Source Spannung | 1,2kV | |
Drainstrom | 51A | |
Gehäuse | PIM18 | |
Topologie | MOSFET Halbbrücke | |
Elektrische Montage | Press-in PCB | |
Widerstand im Leitungszustand | 31mΩ | |
Drainstrom im Impuls | 102A | |
Verlustleistung | 211W | |
Technologie | SiC | |
Gate-Source Spannung | -15...25V | |
Verpackungs-Art | Tray | |
Mechanische Montage | schraubbar |