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Hersteller: ONSEMI
Hersteller | ONSEMI | |
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | |
Struktur des Halbleiters | SiC-Diode/Transistor | |
Rückspannung max. | 1kV | |
Kollektor-Emitter-Strom | 450A | |
Anwendung | für UPS, Wechselrichter | |
Elektrische Montage | Press-Fit | |
Gate - Emitter Spannung | ±20V | |
Technologie | SiC | |
Mechanische Montage | schraubbar |