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NXH450B100H4Q2F2PG

Modul: IGBT; SiC-Diode/Transistor; Urmax: 1kV; Ic: 450A; Press-Fit

Hersteller: ONSEMI

Kennzeichnung des Herstellers:
NXH450B100H4Q2F2PG
Symbol TME:
NXH450B100H4Q2F2PG

Technische Daten

Hersteller
ONSEMI
Typ des Halbleitermoduls
IGBT
Struktur des Halbleiters
SiC-Diode/Transistor
Rückspannung max.
1kV
Kollektor-Emitter-Strom
450A
Anwendung
für UPS, Wechselrichter
Elektrische Montage
Press-Fit
Gate - Emitter Spannung
±20V
Technologie
SiC
Mechanische Montage
schraubbar
Bruttogewicht100 g
Zertifikate
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NXH450B100H4Q2F2PG
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