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Hersteller	ONSEMI
Typ des Halbleitermoduls	Bipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiters	Transistor/Transistor
Drain-Source Spannung	80V
Drainstrom	200A
Gehäuse	APM12-CBA
Topologie	MOSFET Halbbrücke
Elektrische Montage	THT
Widerstand im Leitungszustand	2,4mΩ
Gate-Source Spannung	±20V
Verpackungs-Art	Tray
Mechanische Montage	schraubbar

NXV08A170DB2

Modul; Transistor/Transistor; 80V; 200A; APM12-CBA; THT; Ugs: ±20V

Technische Daten