+1 500 000 Produkte im Angebot

6000 Pakete jeden Tag

+300 000 Kunden aus 150 Ländern

Rufen Sie an: +49 341 2120340

Daten werden verarbeitet

Ihr Kreditlimit wurde überschritten. Die Bestellung wird angenommen, jedoch nicht realisiert. Der Lieferzeitplan für die bestellten Artikel wird ebenfalls nicht festgelegt. Setzen Sie sich bitte mit einem TME-Mitarbeiter in Verbindung.

Die Operation wurde erfolgreich durchgeführt.

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuche noch einmal.

Hersteller	ONSEMI
Typ des Halbleitermoduls	Bipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiters	Transistor/Transistor
Drain-Source Spannung	80V
Gehäuse	APM19-CBC
Topologie	3-phasen Brücke MOSFET
Elektrische Montage	THT
Widerstand im Leitungszustand	3,2mΩ
Gate-Source Spannung	±20V
Verpackungs-Art	Tube
Mechanische Montage	schraubbar

NXV08V110DB1

Modul; Transistor/Transistor; 80V; APM19-CBC; THT; Ugs: ±20V; Tube

Technische Daten