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Hersteller	SEMIKRON DANFOSS
Typ des Halbleitermoduls	IGBT
Struktur des Halbleiters	Transistor/Transistor
Topologie	IGBT Halbbrücke
Rückspannung max.	1,2kV
Kollektor-Emitter-Strom	200A
Gehäuse	SEMITRANS3
Anwendung	für UPS, Photovoltaik, Wechselrichter
Elektrische Montage	schraubbar, Steckverbinder FASTON
Gate - Emitter Spannung	±20V
Kollektorstrom im Impuls	600A
Mechanische Montage	schraubbar

SKM200GB12E4

Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1,2kV

Alternative Bezeichnungen: 22892067

Technische Daten