STE88N65M5
Modul; einzelner Transistor; 650V; 55,7A; ISOTOP; schraubbar; 494W
Hersteller: STMicroelectronics
Kennzeichnung des Herstellers:
STE88N65M5
Symbol TME:
STE88N65M5
Technische Daten
Hersteller | STMicroelectronics | ||
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | ||
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | ||
Drain-Source Spannung | 650V | ||
Drainstrom | 55,7A | ||
Gehäuse | ISOTOP | ||
Elektrische Montage | schraubbar | ||
Polarisierung | unipolar | ||
Widerstand im Leitungszustand | 24mΩ | ||
Drainstrom im Impuls | 352A | ||
Verlustleistung | 494W | ||
Technologie | MDmesh™, MESH OVERLAY™, PowerMesh™ | ||
Gate-Source Spannung | ±25V | ||
Verpackungs-Art | Tube | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht35.21 g
Zertifikate
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* STE88N65M5Anzahl Stück (Vielfache: 1)
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