STGAP2SICD
IC: driver; SiC MOSFET Torsteuerung; SO36-W; -4÷4A; 1,2kV; Ch: 2
Hersteller: STMicroelectronics
Kennzeichnung des Herstellers:
STGAP2SICD
Symbol TME:
STGAP2SICD
Technische Daten
Hersteller | STMicroelectronics | ||
Integrierten Schaltkreises-Typ | driver | ||
Integrierten Schaltkreises-Art | SiC MOSFET Torsteuerung | ||
Gehäuse | SO36-W | ||
Ausgangsstrom | -4...4A | ||
Ausgangsspannung | 1,2kV | ||
Anzahl Kanäle | 2 | ||
Eigenschafte integrierter Schaltkreise | galvanische Trennung | ||
Montage | SMD | ||
Betriebstemperatur | -40...125°C | ||
Verpackungs-Art | Tube |
Versorgungsspannung
- 3,1...5,5V
Bruttogewicht10 g
Zertifikate
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