STGAP2SICSANCTR
IC: driver; SiC MOSFET Torsteuerung; SO8; -4÷4A; 1,7kV; Ch: 1
Hersteller: STMicroelectronics
Kennzeichnung des Herstellers:
STGAP2SICSANCTR
Symbol TME:
STGAP2SICSANCTR
Technische Daten
Hersteller | STMicroelectronics | ||
Integrierten Schaltkreises-Typ | driver | ||
Integrierten Schaltkreises-Art | SiC MOSFET Torsteuerung | ||
Gehäuse | SO8 | ||
Ausgangsstrom | -4...4A | ||
Ausgangsspannung | 1,7kV | ||
Anzahl Kanäle | 1 | ||
Eigenschafte integrierter Schaltkreise | galvanische Trennung | ||
Montage | SMD | ||
Betriebstemperatur | -40...125°C | ||
Verpackungs-Art | Band, Rolle |
Versorgungsspannung
- 3,1...5,25V
Bruttogewicht1 g
Zertifikate
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* STGAP2SICSANCTRAnzahl Stück (Vielfache: 2 500)
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Nettopreis für Mengen von 2500 st - 0.89 EURBruttopreis für Mengen von 2500 st - 1.05 EUR