STGD4M65DF2
Transistor: IGBT; 650V; 4A; 68W; DPAK
Hersteller: STMicroelectronics
Kennzeichnung des Herstellers:
STGD4M65DF2
Symbol TME:
STGD4M65DF2
Technische Daten
Hersteller | STMicroelectronics | |
Transistor-Typ | IGBT | |
Kollektor-Emitter-Spannung | 650V | |
Kollektor-Emitter-Strom | 4A | |
Verlustleistung | 68W | |
Gehäuse | DPAK | |
Gate - Emitter Spannung | ±20V | |
Kollektorstrom im Impuls | 16A | |
Montage | SMD | |
Gate-Ladung | 15,2nC | |
Verpackungs-Art | Band, Rolle | |
Eigenschaften von Halbleiterelementen | integrated anti-parallel diode |
Bruttogewicht1 g
Zertifikate
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* STGD4M65DF2Anzahl Stück (Vielfache: 1)
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