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STGP20M65DF2

Transistor: IGBT; 650V; 20A; 166W; TO220AB

Hersteller: STMicroelectronics

Kennzeichnung des Herstellers:
STGP20M65DF2
Symbol TME:
STGP20M65DF2

Technische Daten

Hersteller
STMicroelectronics
Transistor-Typ
IGBT
Kollektor-Emitter-Spannung
650V
Kollektor-Emitter-Strom
20A
Verlustleistung
166W
Gehäuse
TO220AB
Gate - Emitter Spannung
±20V
Kollektorstrom im Impuls
80A
Montage
THT
Gate-Ladung
63nC
Verpackungs-Art
Tube
Eigenschaften von Halbleiterelementen
integrated anti-parallel diode
Bruttogewicht2 g
Zertifikate
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STGP20M65DF2
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