STGP4M65DF2
Transistor: IGBT; 650V; 4A; 68W; TO220AB
Hersteller: STMicroelectronics
Kennzeichnung des Herstellers:
STGP4M65DF2
Symbol TME:
STGP4M65DF2
Technische Daten
Hersteller | STMicroelectronics | |
Transistor-Typ | IGBT | |
Kollektor-Emitter-Spannung | 650V | |
Kollektor-Emitter-Strom | 4A | |
Verlustleistung | 68W | |
Gehäuse | TO220AB | |
Gate - Emitter Spannung | ±20V | |
Kollektorstrom im Impuls | 16A | |
Montage | THT | |
Gate-Ladung | 15,2nC | |
Verpackungs-Art | Tube | |
Eigenschaften von Halbleiterelementen | integrated anti-parallel diode |
Bruttogewicht2 g
Zertifikate
Andere Produkte von dieser Kategorie ansehen: IGBT THT-Transistoren STMicroelectronics,
* STGP4M65DF2Anzahl Stück (Vielfache: 1)
0 auf Lager bei TME
Nettopreis für Mengen von 1 st - 1.20 EURBruttopreis für Mengen von 1 st - 1.43 EUR
Nettopreis für Mengen von 50 st - 0.55 EURBruttopreis für Mengen von 50 st - 0.65 EUR
Nettopreis für Mengen von 100 st - 0.53 EURBruttopreis für Mengen von 100 st - 0.63 EUR