STGSH80HB65DAG
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 650V
Hersteller: STMicroelectronics
Kennzeichnung des Herstellers:
STGSH80HB65DAG
Symbol TME:
STGSH80HB65DAG
Technische Daten
Hersteller | STMicroelectronics | ||
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | ||
Struktur des Halbleiters | Transistor/Transistor | ||
Topologie | IGBT Halbbrücke | ||
Rückspannung max. | 650V | ||
Kollektor-Emitter-Strom | 68A | ||
Gehäuse | ACEPACK SMIT | ||
Elektrische Montage | SMT | ||
Gate - Emitter Spannung | ±20V | ||
Kollektorstrom im Impuls | 269A | ||
Verlustleistung | 250W |
Bruttogewicht2 g
Zertifikate
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* STGSH80HB65DAGAnzahl Stück (Vielfache: 1)
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