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Hersteller	STMicroelectronics
Typ des Halbleitermoduls	IGBT
Struktur des Halbleiters	Transistor/Transistor
Topologie	IGBT Halbbrücke
Rückspannung max.	650V
Kollektor-Emitter-Strom	68A
Gehäuse	ACEPACK SMIT
Elektrische Montage	SMT
Gate - Emitter Spannung	±20V
Kollektorstrom im Impuls	269A
Verlustleistung	250W

STGSH80HB65DAG

Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 650V

Technische Daten