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STGWT80V60DF

Transistor: IGBT; 600V; 80A; 469W; TO3P

Hersteller: STMicroelectronics

Kennzeichnung des Herstellers:
STGWT80V60DF
Symbol TME:
STGWT80V60DF

Technische Daten

Hersteller
STMicroelectronics
Transistor-Typ
IGBT
Kollektor-Emitter-Spannung
600V
Kollektor-Emitter-Strom
80A
Verlustleistung
469W
Gehäuse
TO3P
Gate - Emitter Spannung
±20V
Kollektorstrom im Impuls
240A
Montage
THT
Gate-Ladung
448nC
Verpackungs-Art
Tube
Eigenschaften von Halbleiterelementen
integrated anti-parallel diode
Bruttogewicht5 g
Zertifikate
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