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STL50DN6F7

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 57A; Idm: 228A; 62,5W

Hersteller: STMicroelectronics

Kennzeichnung des Herstellers:
STL50DN6F7
Symbol TME:
STL50DN6F7

Technische Daten

Hersteller
STMicroelectronics
Transistor-Typ
N-MOSFET x2
Polarisierung
unipolar
Drain-Source Spannung
60V
Drainstrom
57A
Drainstrom im Impuls
228A
Verlustleistung
62,5W
Gehäuse
PowerFLAT 5x6
Gate-Source Spannung
±20V
Widerstand im Leitungszustand
11mΩ
Montage
SMD
Gate-Ladung
17nC
Verpackungs-Art
Band, Rolle
Kanal-Art
anreicherungs
Bruttogewicht0.146 g
Zertifikate
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STL50DN6F7
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Verpackungsmethode durch den HerstellerRolle = 3 000 st