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Hersteller | STMicroelectronics | |
Transistor-Typ | N-MOSFET x2 | |
Technologie | STripFET™ II | |
Polarisierung | unipolar | |
Drain-Source Spannung | 60V | |
Drainstrom | 3A | |
Verlustleistung | 2,5W | |
Gehäuse | SO8 | |
Gate-Source Spannung | ±20V | |
Widerstand im Leitungszustand | 65mΩ | |
Montage | SMD | |
Verpackungs-Art | Band, Rolle | |
Kanal-Art | anreicherungs |