STS4DNF60L
Transistor: N-MOSFET x2; STripFET™ II; unipolar; 60V; 3A; 2,5W; SO8
Hersteller: STMicroelectronics
Kennzeichnung des Herstellers:
STS4DNF60L
Symbol TME:
STS4DNF60L
Technische Daten
Hersteller | STMicroelectronics | ||
Transistor-Typ | N-MOSFET x2 | ||
Technologie | STripFET™ II | ||
Polarisierung | unipolar | ||
Drain-Source Spannung | 60V | ||
Drainstrom | 3A | ||
Verlustleistung | 2,5W | ||
Gehäuse | SO8 | ||
Gate-Source Spannung | ±20V | ||
Widerstand im Leitungszustand | 65mΩ | ||
Montage | SMD | ||
Verpackungs-Art | Band, Rolle | ||
Kanal-Art | anreicherungs |
Bruttogewicht0.144 g
Zertifikate
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* STS4DNF60LAnzahl Stück (Vielfache: 1)
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Verpackungsmethode durch den HerstellerRolle = 2 500 st