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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Hersteller | ROHM SEMICONDUCTOR | |
Transistor-Typ | N/P-MOSFET | |
Polarisierung | unipolar | |
Drain-Source Spannung | 30/-20V | |
Drainstrom | 1,5/-1A | |
Drainstrom im Impuls | 4...6A | |
Verlustleistung | 1W | |
Gehäuse | TUMT6 | |
Gate-Source Spannung | ±12V | |
Widerstand im Leitungszustand | 340/800mΩ | |
Montage | SMD | |
Gate-Ladung | 1,6/2,1nC | |
Verpackungs-Art | Band, Rolle | |
Kanal-Art | anreicherungs |