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US6M2TR

Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-20V; 1,5/-1A; Idm: 4÷6A; 1W

Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR

Kennzeichnung des Herstellers:
US6M2TR
Symbol TME:
US6M2TR

Technische Daten

Hersteller
ROHM SEMICONDUCTOR
Transistor-Typ
N/P-MOSFET
Polarisierung
unipolar
Drain-Source Spannung
30/-20V
Drainstrom
1,5/-1A
Drainstrom im Impuls
4...6A
Verlustleistung
1W
Gehäuse
TUMT6
Gate-Source Spannung
±12V
Widerstand im Leitungszustand
340/800mΩ
Montage
SMD
Gate-Ladung
1,6/2,1nC
Verpackungs-Art
Band, Rolle
Kanal-Art
anreicherungs
Bruttogewicht0.1 g
Zertifikate

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